VDMOS功率晶体管封装规模化
基本信息：
- 项目名称：VDMOS功率晶体管封装规模化
- 融资方式：
- 所需金额：7000万元（万元）
- 行业类型：光通讯
- 是否有商业计划书：未上传
- 推出方式：
项目简介：
项目内容：
1.建设内容和规模。项目建设周期：1年8个月。拟招商引资额：3000万元。扩大VDMOS功率晶体管/IGBT芯片后部封装生产线，达到年封装1亿只的生产能力；建成我国功率MOS功率晶体管/IGBT封装骨干厂商之一，满足重点工程建设和国民经济发展的需要。改造厂房1080平方米，配齐水、真空、压空等配套设施，
1.建设内容和规模。项目建设周期：1年8个月。拟招商引资额：3000万元。扩大VDMOS功率晶体管/IGBT芯片后部封装生产线，达到年封装1亿只的生产能力；建成我国功率MOS功率晶体管/IGBT封装骨干厂商之一，满足重点工程建设和国民经济发展的需要。改造厂房1080平方米，配齐水、真空、压空等配套设施，
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