GaN
氮化鎵（GaN）是一種具有較大禁帶寬度的半導體，屬于寬禁帶半導體之列。氮化鎵是微波功率晶體管的優(yōu)良材料，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料，具有寬的直接帶隙、強的原子鍵、高的熱導率、化學穩(wěn)定性好（幾乎不被任何酸腐蝕）等性質和強的抗輻照能力。
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第三代半導體材料GaN和SiC：國產應用新布局
【嗶哥嗶特導讀】截至目前，第三代半導體材料的應用已經(jīng)進入人們的日常工作和生活當中，特別是GaN和SiC。未來，除了PD快充和新能源汽車等熱門應用市場，國產的GaN和SiC材料應用將會有新的市場逐步出現(xiàn)
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GaN 氮化鎵市場調查：2021 年增長率可達 90.6%
IT之家3月13日消息 TrendForce 集邦咨詢近日發(fā)布了 GaN 氮化鎵市場調查報告。報告顯示，盡管 2018 年至 2020 年以氮化鎵為代表的第三代半導體產業(yè)受到貿易摩擦、疫情影響增長受到
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